Deshalb kann ich bei meiner jetzt niedrigen Generatorspannung die Drehstrombrücke in Silizium aufbauen.
Versteh ich nicht. Das Problem bei MOSFETs für Drehstromanwendungen ist doch der hohe RDSon!?
(Als Freilaufdioden haben wir externe Epitaxialdioden verwendet, das ist ja auch kein Kostenfaktor),
Bei einer Dreiphasigen Brücke (6 Transistoren) muss ich ja mit 800V Komponenten arbeiten (knapp 600V plus transiente Überspannungen, also mit Sicherheitsreserve die 800V). Und da ist der ON-Widerstand bei Silizium untragbar.
(Bei den IGBTs ist ja der Stromschwanz das Problem...)
Klär mich auf!